Micro-electromechanical semiconductor component

Élément semi-conducteur microélectromécanique

Mikroelektromechanisches halbleiterbauelement

Abstract

Das rnikroelektromechanische Halbleiterbauelement ist mit einem Halbleitersubstrat (4, 5), einem reversible verformbaren Biegeelement (8a) aus Halbleitermaterial und mindestens einem für mechanische Spannungen sensitiven Transistor, der als integriertes Bauteil in dem Biegeelement (8a) ausgebildet ist, versehen. Der Transistor ist in einer in das Biegeelement (8a) eingebrachten implantierten Aktivgebietswanne (78a) aus einem Halbleitermaterial von einem ersten Leitungstyp angeordnet. In die Aktivgebietswanne (78a) sind zwei voneinander beabstandete, implantierte Drain- und Sourcegebiete (79, 80) aus einem Halbleitermaterial von einem zweiten Leitungstyp ausgebildet, zwischen denen sich ein Kanalgebiet erstreckt. Zu den Drain- und Sourcegebieten (79, 80) führen implantierte Zuleitungen aus einem Halbleitermaterial vom zweiten Leitungstyp. Die Oberseite der Aktivgebietswanne (78a) ist von einem Gate-Oxid (81a) überdeckt. Im Bereich des Kanalgebiets befindet sich auf dem Gate-Oxid (81a) eine Gate-Elektrode (81) aus Poly-Silizium, zu der eine Zuleitung aus ebenfalls Poly-Silizium führt.
L'invention concerne un élément semi-conducteur microélectromécanique pourvu d'un substrat semi-conducteur (4, 5), d'un élément de flexion à déformation réversible (8a) en matériau semi-conducteur et au moins d'un transistor sensible aux tensions mécaniques qui est conçu comme un élément intégré dans l'élément de flexion (8a). Le transistor est disposé dans une cuvette de zone active (78a) en matériau semi-conducteur d'un premier type de conduction, implantée dans l'élément de flexion (8a). Deux zones de drain et de source (79, 80) en matériau semi-conducteur d'un deuxième type de conduction, qui sont espacées l'une de l'autre et entre lesquelles s'étend une zone de canal, sont formées dans la cuvette de zone active (78a). Des conducteurs d'amenée implantés, en matériau semi-conducteur du deuxième type de conduction, conduisent aux zones de drain et de source (79, 80). Le côté supérieur de la cuvette de zone active (78a) est recouvert d'un oxyde de grille (81a). Une électrode de grille (81) en polysilicium à laquelle conduit un conducteur d'amenée également en polysilicium se trouve sur l'oxyde de grille (81a) dans la région de la zone du canal.
The micro-electromechanical semiconductor component is provided with a semiconductor substrate (4, 5), a reversibly deformable bending element (8a) made of semiconductor material, and at least one transistor that is sensitive to mechanical stresses, said transistor being designed as an integrated component in the bending element (8a). The transistor is arranged in an implanted active region pan (78a) that is made of a semiconductor material of a first conducting type and is introduced in the bending element (8a). Two mutually spaced, implanted drain and source regions (79, 80) made of a semiconductor material of a second conducting type are designed in the active region pan (78a), a channel region extending between said two regions. Implanted feed lines made of a semiconductor material of the second conducting type lead to the drain and source regions (79, 80). The upper face of the active region pan (78a) is covered by a gate oxide (81a). In the area of the channel region, a gate electrode (81) made of polysilicon is located on the gate oxide (81a), a feed line likewise made of polysilicon leading to said gate electrode.

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